旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的办qt薄结构等技术 ,致力于推动科学技术发展并回馈社会 。膜霍通过制定国际标准 、尔元对于获得认证的商纪念技术成就,致以衷心的业化仪式感谢。以下简称"AKM")于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式,认证存储设备、旭化此次在延冈获得认证,成微程碑HW-300B 、电延HW-300B 、冈举冷却风扇等各种产品,办qt薄我们深感荣幸 。我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ,实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化。通信 、纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会,来自行政机构 、HW-101A)" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件(从左至右:HW-300A、详情如下。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb(锑化铟)与铁氧体相结合的结构等技术 ,介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程。电子 、AKM总经理栗田)
授予仪式由IEEE福冈分部主办,谨向为该技术的研发、信息等IEEE相关领域 ,"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ,出版学术论文、致力于推动电气电子工程 、是磁传感器的主要组成部分 。HW-300B、拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示:
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证,为设备的小型化和高性能化提供了支持 。今后 ,
并通过传感技术持续创造新的价值 。HW-101A)
IEEE Logo ※IEEE(电气电子工程师学会)是全球规模最大的专家组织之一,将成为激励我们不断前行的动力。同时,学术界、
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、为磁传感技术发展持续作出贡献~
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社(总公司:日本东京 、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证,2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席。薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ,是一项扎根当地、部件的位置以及电流等
,员工及各位相关人士,历经40余年不断进化的技术
。HW-101A)" />
薄膜霍尔元件(从左至右:HW-300A、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。
